平坦な母型に製品加工を行う加工方法です。
断面形状はオーバーハングタイプとストレートタイプ、両方の作製が可能です。
加工例
ステンレスメッシュとニッケルめっきの組み合わせで、寸法精度・耐刷性に優れています。
対応メッシュ数:#60~#400
specifications | |
ピッチ | 50µm |
メタル総厚 | 70µm |
SUSメッシュ | #400使用 |
断面形状 | オーバーハングタイプ |
ハンダボール等の微細粒子の分粒に使用します。穴径は10µmより加工可能です。
2枚の穴径の異なるフィルターを用いることで所望の粒径が分粒可能となります。
specifications | |
ピッチ | 20µm |
穴径 | 10µm(±1µm以下) |
めっき厚 | 8µm |
断面形状 | ストレートタイプ |
特に高い寸法精度(±1µmレベル)を要求される超微細加工に適した加工方法です。
セミアディティブFPC回路やMEMS部品の作製に適用されています。
断面形状はストレートタイプとなります。
加工例
高密度・高精細化の進むFPC基板にエレクトロフォーミング技術を応用し、
セミアディティブFPCを開発しています。
最先端の実装分野での応用が始まっています。
specifications | |
ピッチ | 10µm |
回路幅 | 5µm |
回路厚 | 10µm |
めっき金属 | 銅 |
MEMS部品のマイクロ流路アレイ、マイクロミキサーおよびマイクロギアなどの開発にエレクトロ
フォーミング加工の得意とする高精度・微細加工が利用されています。
specifications | |
めっき厚 | 25µm |
マイクロ流路部 | 30/30µm |
めっき金属 | 銅 |
特殊仕様をさらに発展させて、高精度・高アスペクト加工を可能にします。
現在開発中ですが、前述のMEMS部品やナノインプリント用モールドなどの用途が期待できます。
断面形状はストレートタイプとなります。
仕様加工例
本来なら、巨大なシンクロトロンという装置を用いないとできないLIGAプロセスを
安価なUV(紫外線)で加工できるようにしたプロセスをUV-LIGAプロセスと呼んでいます。
一般的な装置を用いて比較的簡単に高アスペクト比を有する微細構造体が作製可能です。
specifications | |
めっき厚 | 60µm |
リブ幅 | 10µm |
メッシュ開口率 | 約90% |
アスペクト比 | 6 |
特殊仕様に記載しているマイクロ流路回路を、ストレートなサイドウォール形状を確保したままで
めっき厚を厚くすることが可能となります。
specifications | |
めっき厚 | 75µm |
マイクロ流路部 | 30~30µm |
アスペクト比 | 2.5 |
めっき金属 | ニッケル |
シリコンエッチング、ガラスエッチング、3次元フォトリソ 、高アスペクトレジスト、
サンドブラスト、薄膜コーティング等の対応が可能です。
技術
シリコン基板を腐食させ立体構造を形成。
V溝加工、角溝加工、等方向性加工の3種があります。
使用用途例 |
ファイバーアレイ |
MEMS用デバイス(ミラー) |
マイクロデバイスなど |
ガラス表面をフッ化水素などの薬品で腐食させ、溝や段彫り加工が可能です。
使用用途例 |
スタンパー(インプリント用ガラス版) |
印刷用版など |
電着レジストを使用する事で、導電性のある面ならばどんな形状にも均一に形成出来るため、
端面や角部、立体形状全体にフォトエッチング加工が可能です。
使用用途例 |
MEMSデバイスなど |
高アスペクト比レジストを使用することで微細な立体構造が形成できます (最大アスペクト比1:5)
使用用途例 |
流路 |
セル隔壁 |
スタンパーなど |
ガラス、シリコン、石英など比較的固い基板表面を削って溝、穴などを作成できます。
使用用途例 |
流路 |
貫通穴 |
光拡散面作成など |
物理蒸着に属する抵抗加熱真空蒸着、E.B.加熱真空蒸着、スパッタリングといった成膜加工が可能。
ほとんどの金属、金属酸化物、誘電体膜をコーティングすることが可能です。
Ag | Al | Al₂O₃ | Au | Cr | Cr₂O₃ | Cu | ITO | Ni | Pt | SiO₂ | Ti | その他 | |
抵抗 | MgF2、SiOなど | ||||||||||||
E.B. | *下計参照 | ||||||||||||
E.B. |
* Fe、Mgo、Mo、Nb、Pd、Si、Ta、TiO₂、Al-Si、Al-Si-Cu、Al-Cu、Ni-Cr、アルメル、クロメル、コンスタンタン、パーマロイ、インコネルなど